国际大厂及长江存储3D NAND最新进展：96层和QLC初露锋芒

近期，三星、东芝/西部数据、英特尔/美光、SK海力士，以及长江存储均发布了其创新技术和战略规划。总结各家原厂技术发展，2018下半年目标是进入64层QLC NAND和96层TLC NAND量产阶段，2019年推进96层QLC NAND技术发展，使得3D NAND单颗容量向1Tb以上迈进。

随着3D NAND技术的快速发展，可以预见QLC将会取代TLC，犹如TLC取代MLC一样，而3D NAND单颗Die容量的不断翻倍增长，将推动消费类SSD向4TB迈进，企业级SSD向8TB升级，QLC SSD将扛起取代HDD的大旗。

三星开始量产96层3D NAND和64层QLC的SATA SSD

作为NAND Flash市场的领先者，三星早在2013年就开始投入3D NAND，2018年三星已开始大规模生产第五代96层V-NAND，相较于上一代64层V-NAND，生产率可提高30%以上。目前三星基于96层推出的是256Gb V-NAND，数据存储速度提高40%达到1.4Gbps，之后会基于QLC架构推出高达1Tb容量的V-NAND。

此外，三星也已大规模生产基于QLC SATA SSD，基于64层单颗Die 1Tb QLC（4-bit）V-NAND，新的QLC SSD搭载了32颗芯片，最高容量高达4TB，具有TLC SATA SSD一样的性能水平，提供540MB/s的读取速度和520MB/s的写入速度，3年质保。

东芝/西部数据量产96层3D TLC NAND，QLC将在2019年初量产

东芝和西部数据早在2017年就宣称已成功研发出96层和QLC技术，2018上半年加大Fab6工厂设备投资，以及建新工厂Fab7，下半年宣布量产96层3D TLC NAND，以及成功开发出96层QLC（4-bit）NAND。

东芝96层3D TLC NAND将在Q4扩大出货，还推出新XG6系列SSD，容量从256GB起跳，最高达1TB，以及提出基于XL-Flash低延迟3D NAND，类似于模拟成SLC NAND一样。西部数据称成功研发的96层QLC（4-bit）NAND，单Die容量最高可达1.33Tb，正在送样阶段，将优先用于SanDisk品牌下销售的消费级闪存产品，下半年批量出货。

美光与英特尔发布3D QLC NAND，采用QLC技术SSD出货

美光与英特尔开始量产64层QLC（4-bit）NAND，单颗Die容量达1Tb，美光基于64层QLC NAND推出5210 ION系列SSD，且已开始对战略合作伙伴的客户出货，预计Q4将会扩大供货。英特尔基于64层QLC NAND针对数据中心领域推出PCIe SSD D5-P4320，容量最高8TB，针对消费类市场推出660P系列SSD，最高容量2TB。

美光和英特尔联合研发的第二代3D Xpoint将于2019年上半年面世，下一代的96层3D NAND已送样给客户，预计将在2018年底量产。

SK海力士推出4D NAND，96层堆叠512Gb TLC

SK海力士推出的4D NAND，采用CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型），存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）。与传统架构相比，4D NAND的外围电路（PUC，Peri.Circuits）架构，可缩小芯片面积、缩短处理工时、降低成本。与采用72层堆叠的V4 3D TLC相比，96层堆叠的4D NAND面积减小30%、读速提升25%、写速提升30%。

SK海力士4D NAND初期是96层堆叠的512Gb TLC，I/O接口速度1.2Gbps，预计将在今年Q4送样。SK海力士还将推出96层QLC NAND，单Die容量1Tb，预计将在2019年下半年送样。

长江存储公布新技术Xtacking，将用于64层3D NAND，2019年投产

长江存储（YMTC）发布其突破性技术——Xtacking，为3D NAND带来高I/O性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期，荣获美国FMS峰会“最具创新初创闪存企业”大奖。

长江存储Xtacking技术使得产品开发时间缩短三个月，生产周期可缩短20%，NAND I/O速度大幅提升到3.0Gbps，将外围电路置于存储单元之上，比传统3D NAND更高的存储密度。  长江存储已在武汉存储基地生产32层3D NAND，新Xtacking技术会应用于第二代64层3D NAND产品的开发，计划于2019年实现量产。”