明后两年全球晶圆产能将极速增涨，主要增长点来自于存储芯

我们处在一个信息爆炸的时代，而信息的产生与传播离不开基本的硬件载体，根据市场调研机构IC Insights最新研究报告指出，2020年全球将有10座新的12寸晶圆厂进入量产阶段，全球晶圆产能将新增1790万片8寸约当晶圆，2021年新增产能将创历史新高达2080万片8寸约当晶圆。新增产能主要来自于韩国大厂三星及SK海力士，以及长江储存、武汉新芯、华虹宏力等我国大陆半导体厂。

报告指出，自2000年以来，半导体产业是靠着增加晶圆投片量来提高晶片出货量，而利用制程微缩让每片晶圆切割出更多晶片的贡献并不多。事实上，自2000～2019年这20年当中，每片晶圆切割出的良品晶片的每年平均成长率仅0.9％，但透过增加晶圆投片来增加的晶片每年平均成长率达6.5％。总体来看，2000～2019年全球每年新增加的晶片数量，有86％来自晶圆投片量增加，只有14％是来自制程微缩让每片晶圆切割出更多晶片。

半导体市场在2017～2018年间出现过存储芯片及部份逻辑芯片缺货的情况，DRAM及NAND Flash价格大涨，存储芯片厂因此大举扩充产能以回应市场的强劲需求，晶圆代工厂及IDM厂也有扩建增加产能的计划。不过，国际经济情势不确定性导致半导体市场需求降温，2019年存储芯片价格一路走跌，存储芯片厂也暂缓了产能扩充计划，晶圆代工厂及IDM厂的产能利用率也同步下修。IC Insights统计，全球晶圆厂平均产能利用率在2018年达94％，但2019年降至86％。

但是对于半导体厂来说，产能扩充计划没有取消只是延后，其中扩产规模最大的还是来自于存储芯片厂。由于近期DRAM及NAND Flash市况回温，存储芯片厂重启产能扩充计划，2020年及2021年全球新增晶圆产能将大幅增加，等于进入高速扩张期。

据业界消息，以三星为例，为积极扩增3D NAND产能，其位于西安的第二期晶圆厂已完工，预计2020年第一季开始量产，三星位于韩国平泽厂旁的P2厂也已兴建完成，预期2020年下半年进入量产。