2017年底国产3D-NAND闪存颗粒或将问世

由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。

    2015年中国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工。

    整个项目预计投资240亿美元，分为三期建设，现在启动的是第一期，主要目标是生产3D NAND闪存；2018年将启动第二期建设，规划是上DRAM内存芯片；2019年启动第三期建设，主要目标是代工服务，产能也会越来越大，2020年目标是30万片晶圆/月，2030年则是100万片晶圆/月。

    今年7月份的时候，紫光公司收购了新芯科技公司多数股份，成立了武汉长江存储科技有限公司（简称TRST），紫光公司控股一半多，董事长赵伟国也将担任长江科技公司的董事长，这个项目就变成了紫光公司主导了——当初收购美光的梦想无法实现，收购西数硬盘的事也黄了，不过紫光现在总算可以正式进军存储芯片领域了。

    Digitimes援引业界消息称，长江存储公司最快2017年底正式推出3D NAND闪存，32层堆栈结构，也就是说明年我们就有可能看到真正国产的闪存芯片了。

    新芯科技现在主要生产NOR闪存，而NAND闪存比NOR闪存技术难度要高，他们的技术来源是飞索半导体（Spansion）公司。考虑到与三星、Hynix、东芝、美光、Intel等公司的技术差距，国产3D NAND闪存32层堆栈的起点不低了，这几家公司研发多年，第一代3D闪存也不过是24层堆栈，32层堆栈的还算是主流，不过等到明年的时候，48层甚至64层堆栈的3D闪存恐怕也早就问世了。

    根据之前的报道，新芯科技预计2018年推出48层堆栈的3D闪存，那时候虽然还是追不上最顶级的水平，不过差距应该会缩小很多，国产3D闪存还有追赶的机会。